当前位置:主页 > 行业产品 >

英国研发新一代革命性内存:10ns延迟、功耗仅有

发布时间:20-02-18 阅读:952

2020年美光三星等公司会推出新一代的DDR5内存,最高速度可达6400Mbps,将慢慢取代DDR4内存。现在的DRAM内存技巧还在进级,然则技巧瓶颈也日趋显着,钻研职员正在探求新的内存替代技巧,英国就找到了新偏向——全新内存延迟可低至10ns,功耗仅有现在1%。

多年来人们不停在寻求完美的“内存”芯片,它既必要低延迟、高带宽,也要功耗低(不必要频繁刷新),同时还得容量大年夜,资源低,更紧张的是具备断电不丧掉数据的特点,可以说是NAND闪存及DRAM内存的完美体。

这么多要求,做起来可真不轻易,Intel的傲腾内存是基于PCM相变内存技巧的,在靠得住性、延迟等问题上已经大年夜幅领先现在的闪存,更靠近DRAM内存芯片了,不过逾越内存还达不到。

日前外媒报道称,英国的钻研职员找到了一种新型的“内存”,它应用的是III-V族材料,主如果InAs砷化铟和AlSb锑化铝,用这些材料制成的NVDRAM非易掉性内存具备优秀的特点,在同样的机能下开关能量低了100倍,也便是说功耗只有现有DRAM内存的1%,同时延迟可低至10ns。

总之,这种新型材料制成的内存芯片具备三大年夜特点——超低功耗、写入不破坏数据、非易掉性,其机能比拟现在的DRAM内存倒是没多大年夜提升,10ns级其余延迟跟DDR4内存差不多,然则上面三条特点,尤其长短易掉性就足够让“内存”革命了。

不过也没法痛快太早,英国研发职员现在只是找到了新一代III-V材料内存的理论偏向,真正大年夜规模制造这种内存照样没影的事,就像是像传了好久的MRAM、PCM、RRAM芯片一样。



上一篇:科比才是今年全明星赛的“主角”
下一篇:今夜起,广州全城点亮灯光致敬他们!最美逆行